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型番：4-1336-03
SiC基板 6H-SiC 【1～10個入り】 6HSiC0001D-10-10 ｷﾊﾞﾝ
- 数量スライド割引
- 通常単価(税別)
- 180,000円
- 税込単価
- 198,000円
半導体結晶シリコンと比べ、ハンドギャップが約3倍、絶縁破壊電界強度が10倍と優...
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- 商品タイプ：
- 素材
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- 幅(mm)：
- 10
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- 長さ(mm)：
- 10
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- 厚さ(mm)：
- 0.33
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- 詳細タイプ：
- SiC基板
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- 方位：
- （0001）
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- 研磨：
- 両面研磨
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- メーカー名：
- クリスタルベース
詳細情報
基本情報
半導体結晶シリコンと比べ、ハンドギャップが約3倍、絶縁破壊電界強度が10倍と優れた物性値を有し、新たなパワーデバイス用半導体として注目を集めている6H-SiCの基盤です。
技術情報
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- 一部型番の仕様・寸法を掲載しきれていない場合がございますので、詳細は メーカーカタログをご覧ください。
SiC基板 6H-SiC の型番4-1336-03のページです。
型番4-1336-03に関する仕様情報を記載しております。
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